近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世，該成果已達(dá)到國際先進(jìn)水平。
 

    碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。長期以來，國際上只有少數(shù)國家掌握該技術(shù)，并一直對我國進(jìn)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運。
 

    據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品。
 

    4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料，它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。